美媒：美国防部拟建下一代半导体制造中心

参考消息网11月28日报道据美国《防务新闻》周刊网站11月23日报道，美国国防部高级研究计划局表示，计划在明年夏天发出一份建设合同，在美国建立一个先进微电子制造中心。

报道称，这个被称为“下一代微电子制造”的项目将为相关研究和设备提供资金，建立一个国内尖端制造技术原型中心。国防部高级研究计划局希望借此让美国半导体工业基础处于领先地位。目标是到2029年确立这种能力。

该中心将重点研究三维异质异构集成微系统（3DHI），这是一种先进的微电子制造方法。3DHI研究的前提是，通过集成和封装不同类芯片器件，制造商可以分解存储和处理等功能，从而显著提高性能。

该技术领域不仅可以革新美国的工业基础，而且其他国家和地区都有浓厚的兴趣加入。

国防部高级研究计划局在11月20日的项目公告中表示：“目前，美国没有具备全面3DHI研发能力的开放制造中心。预计微电子领域的下一波创新浪潮将来自通过先进封装集成异质材料、器件和电路的能力，而国防部高级研究计划局建议建立一个专门针对下一代3DHI的国家级研发中心。”

今年7月，国防部高级研究计划局选择了11个团队开始进行项目的基础工作。该机构近日表示，计划为项目的下两个阶段选择一个团队，每个阶段的合同金额最高达4.2亿美元。

根据合同，被选中的团队也将为项目提供部分资金。国防部高级研究计划局计划在11月28日向业界简要通报该项目。

中国大陆和台湾生产的先进半导体在全球市场占据主导地位。这些关键的微系统用于汽车、手机和国防部的主要武器。近年来，人们越来越担心这些系统过度依赖外国供应链。

国防部高级研究计划局通过“下一代微电子制造”等项目专注于前瞻性技术，这与美国政府覆盖面更广泛的芯片法案不同，后者旨在加强国内半导体产业基础。国会于2022年通过《美国芯片法案》，相关措施将持续到2026年，为加强半导体行业人才培养、研发和制造提供资金。法案还规定，投资美国国内制造设施和设备将享受25%的税收抵免。

报道称， 芯片法案的重点是在短期内支持美国的供应基础，而国防部高级研究计划局在这一领域的努力是面向“下一波创新”。

“下一代微电子制造”项目是这些努力的核心，隶属于该机构的电子复兴计划2.0，该计划旨在解决影响美国国家安全和商业工业的技术挑战。

“下一代微电子制造”项目的第一阶段将专注于购买设备，创建基础制造流程，开发针对3DHI系统的自动化和仿真软件。第二阶段的重点是创建硬件原型、自动化流程和开发仿真功能。

国防部高级研究计划局表示：“该项目的最终目标是，在一个并非由联邦政府拥有和运营的实体的现有设施上建立一个自给自足的3DHI制造中心，并向学术界、政府和行业用户开放。”

“衡量项目成功与否的标准是，它能否以合理的成本和周期支持各种高性能3DHI微系统的设计、制造、组装和测试，从而支持快节奏的创新研究。”该机构补充道。（编译/郭骏）