IT之家 11 月 18 日消息,据可靠爆料人 kopite7kimi 消息,英伟达 RTX 50 系列显卡所采用的 GB200 系列 GPU 将采用台积电 3nm 工艺。
据 IT之家此前报道,英伟达当前的 RTX 40 显卡采用“TSMC 4N”工艺,没有说明具体是几 nm 工艺,有报道称是定制的 5nm 工艺。英伟达官方表示,在 TSMC 4N 定制工艺技术加持下,RTX 40 系列 GPU 实现了高达 2 倍的性能功耗比飞跃。
除了新工艺外,消息称 RTX 50 系列显卡将采用 GDDR7 显存,最高支持 384bit 位宽,接口包括 HDMI 和 DP 2.1,支持通过 PCIe 5.0 连接,供电采用改进版 12V-2x6 16pin 接口,发布时间可能是 2024 年底或 2025 年。
标题:消息称英伟达RTX 50显卡采用台积电3nm工艺
地址:http://www.cdaudi4s.com/weixiu/45781.html